電子學II「FET場效應電晶體」教學單元或活動設計表
檔案文件內容說明：
電子學課程較偏重理論的理解及電路的演練，課堂中將儘量將各種不同的材料，以比較方式就結構、符號、特性及工作原理加以解釋，直流電路分析盡量用統一的電路架構及一致的思考模式，並透過不斷的演算及具體陳述課程內容並連結一年級所學相關課程-單元，將課程架構作一完整介紹。
單元名稱 | FET場效應電晶體 | 設計性質 | ■(1)一般教學 □(2)補救教學 □(3)增廣教學 □(4)補充教學 |
授課對象 | 訊二乙 | 授課時間 | 16小時 |
授課教師 | 蔡瑞宗 | 對象人數 | 47人 |
教材來源 | 電子學II (旗立資訊股份有限公司) | 授課地點 | 訊二乙教室 |
教學方法 | 講述法、問答法、討論法。 | ||
教學資源 | 1.設備:黑板、粉筆、投影機、電腦。 2.教具:學習單。 | ||
評量方法 | 1.問答評量、觀察評量 | ||
教學目標 | 1.了解FET電晶體與BJT電晶體的差異性。 2.了解JFET的結構、符號、工作原理、特性曲線及控制方式。 3.了解MOSFET的結構、符號、工作原理、特性曲線及控制方式。 4.了解如何設計FET電晶體的各種組態之偏壓電路。 5.養成學生良好的職業道德與學習態度。 6.能專心參與教學活動，認真聆聽。 7.能與同學相互討論學習，教學相長。 8.養成有效分配時間，學習準時完成功課的習慣。 9.能積極參與回答老師的問題。 | ||
教學重點 | 1.說明各種不同FET的結構、符號、工作原理及特性比較 2.說明偏壓的目的 3.說明各種偏壓電路之分析與運算方法 4.介紹各種組態的偏壓電路及演算 | ||
學生學習 條件分析 | 1.學生具備基本電學之歐姆定律V=IR及克希荷夫電壓定律。 2.學生了解工作點設計的意義及選擇。 3.學生運算能力差，必須要求動手演算，以熟習設計步驟。 | ||
